近日，由晶盛機(jī)電研發(fā)中心拋光設(shè)備研究所研發(fā)的新型WGP12T減薄拋光設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定加工12英寸30μm超薄晶圓。該技術(shù)的成功突破標(biāo)志著晶盛機(jī)電在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域再次邁出重要一步，為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和自主可控提供了有力支撐。

▲  12英寸30μm超薄晶圓

超薄晶圓因其高集成度、低功耗和優(yōu)異性能，成為當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵材料之一，隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入2.5D/3D時(shí)代，晶圓的厚度越來越薄，對設(shè)備精度、工藝控制等方面提出了極高的要求。晶盛機(jī)電研發(fā)團(tuán)隊(duì)快速響應(yīng)市場需求，迅速對WGP12T進(jìn)行了一系列的技術(shù)優(yōu)化和工藝流程改進(jìn)，使晶圓在設(shè)備上能減薄拋光至30μm厚度以下，確保晶圓的表面平整度和粗糙度的同時(shí)，成功解決了超薄晶圓減薄加工過程中出現(xiàn)的變形、裂紋、污染等難題，真正實(shí)現(xiàn)了30μm超薄晶圓的高效、穩(wěn)定的加工技術(shù)，為公司在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的競爭中再次增添新的籌碼。

▲  新型WGP12T減薄拋光設(shè)備

一直以來，晶盛機(jī)電始終致力于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)與創(chuàng)新，此次再次突破行業(yè)領(lǐng)先的超薄晶圓加工技術(shù)，將為我國半導(dǎo)體行業(yè)提供更先進(jìn)、更高效的晶圓加工解決方案。

未來，晶盛機(jī)電秉持“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”的使命，在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)深耕，以技術(shù)創(chuàng)新為引擎，不斷突破技術(shù)壁壘，加速產(chǎn)品創(chuàng)新周期，為客戶提供最前沿、最具競爭力的半導(dǎo)體解決方案，引領(lǐng)行業(yè)邁向新未來。