隨著SiC產業的迅猛發展，襯底技術的突破與大尺寸化進程正在重塑全球市場格局。5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）實現12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長技術突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達到309mm，質量完好。這不僅標志著晶盛機電在SiC領域實現了6-12英寸全尺寸長晶技術的自主可控，更為我國SiC產業鏈的自主化發展提供了強有力的技術支撐。

▲ 首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶

SiC作為第三代半導體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導率等優異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶體的制備一直是全球技術難題，此前行業主流量產尺寸仍為6-8英寸襯底。浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發的SiC單晶生長爐以及持續迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經過多年的技術攻關，創新晶體生長溫場設計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。

▲ 首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶

浙江晶瑞SuperSiC此次成功研制出12英寸SiC晶體，大幅度提升晶圓的有效可用面積，快速降低芯片單位成本，是晶盛機電正式邁入超大尺寸SiC襯底新時代的重要標志，將進一步加速我國SiC產業鏈的完善，為國產SiC材料在新能源汽車、光伏儲能、智能電網、5G及AI/AR智能眼鏡等行業的快速規模化應用提供可能。

浙江晶瑞SuperSiC作為晶盛機電子公司，始終專注于碳化硅和藍寶石拋光片等化合物半導體材料的研發與生產。目前，公司自主研發的8英寸碳化硅襯底已實現批量生產。

▲ 8英寸碳化硅襯底量產

晶盛機電此次12英寸導電型SiC晶體的成功突破，不僅是公司研發實力的有力證明，更是我國半導體產業在關鍵基礎材料領域實現從“追趕者”轉向“領跑”的重要推手。晶盛將繼續堅持“先進材料，先進裝備”的發展戰略，以自主創新為內核、以產業協同為紐帶、以綠色發展為坐標，在化合物半導體材料領域持續發力，助力我國半導體產業向全球價值鏈高端躍遷。